中芯国际从2019年四季度开始量产14nm,正处于产能爬坡期;在更先进制程的规划上,n 1研发进程稳定,已进入客户导入及产品认证阶段,中芯的n 1工艺相比较台积电的7nm性能稍弱;n 2工艺能接近主流的7nm水平,中芯计划于今年第四季度进行finfet 7nm的初始生产,但量产计划还未公布。
梁孟松表示,“7nm作为其14nm工艺的继任者,其性能提高了20%,功耗降低了57%。它将逻辑面积减少63%,soc面积减少55%,密度是14nm的两倍以上。”虽然中芯国际的14nm工艺相比台积电、格罗方德、联华电子等主要竞争对手晚了2-4年,但是在7nm工艺的进度较快,正在实现追赶。
与此同时,联华电子、格罗方德宣布相继退出12nm以下先进工艺市场,据业内分析,接下来中芯国际对这两家的超越是完全可以实现的,如果不把三星看做专门的代工厂,那么未来在7nm以下先进工艺市场的角逐上,只剩下台积电和中芯国际两家。
相比身处美国、台湾地区的竞争对手,中芯国际正在把这场危机化为机遇。
首先,中国是芯片市场需求大国,半导体产业经过多年发展逐步完善,也不乏优秀的ic设计公司。随着中美贸易摩擦的加剧,越来越多的代工订单转到了中国大陆,这其中华为也更加倾向于选择并扶植大陆的凯发在线平台的合作伙伴。
根据《电子时报》1月份的报道,中芯国际击败台积电,夺得华为海思半导体的14纳米finfet工艺芯片制造订单。
荣耀play4t中芯国际20周年定制版
今年5月,中芯国际定制版荣耀play4t在媒体曝光,其特别之处在于背面的logo——smic 20,以及一行文字标注:powered by smic finfet,显示着这款手机的海思麒麟710a处理器,采用的正是中芯国际(smic)14nm制程代工。
其中,12英寸芯片sn1项目,正是用于满足建设1条月产能3.5万片的12英寸生产线项目的部分资金需求,将生产技术水平提升至14nm及以下,来进一步满足客户的需求。
对于7nm或更先进的工艺,梁孟松曾表示,“中芯国际无需euv就能达成7nm,当然后续的5nm、3nm是必须要有euv的。”虽然无法引进更为先进的euv光刻机,但这也为中芯国际在短时间内,利用现有设备实现从14nm推进到7nm工艺制程并逐步实现量产,赢得了一个难得的喘息和发展的时间差。
在技术层面上,依然存在不确定性,一旦台积电遇到工艺制程陷阱或者技术分水岭,中芯国际作为跟随者,市场格局很有可能发生变化。
2014年,台积电制程工艺升级至20nm,并为高通代工骁龙810凯发在线平台的解决方案。不过该方案内核架构过分关注提升性能,导致整机严重发热,深陷工艺制程陷阱,最终造就了高通“火龙处理器”的黑历史。台积电被迫加快工艺升级进度,经过2015与2016年两次技术迭代才摆脱阴影。
目前,很难预判哪个工艺节点将成为新的陷阱。因此,对台积电而言,犯错比减速更加不可接受,这也为中芯国际的追赶争取更多时间。
路漫漫其修远兮,吾将上下而求索。“落后就要挨打”的道理,从古至今从来不会改变。中国的芯片之路仍需不懈努力,还有很长的路要走。